IRF1310

Symbol Micros: TIRF1310

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1310NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	36mOhm
Max. Drainstrom:	42A
Maximaler Leistungsverlust:	160W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1310NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2377	0,9458	0,7823	0,6865	0,6515

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1310NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

170 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6515

Widerstand im offenen Kanal:	36mOhm
Max. Drainstrom:	42A
Maximaler Leistungsverlust:	160W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT