IRF3711

Symbol Micros: TIRF3711
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 8,5 mOhm; 110A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF3711PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole