IRF510PBF
Symbol Micros:
TIRF510
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 5,6A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF510PBF; IRF510;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF510 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
164 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7940 | 0,4997 | 0,3923 | 0,3573 | 0,3456 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
900 stk.
| Anzahl Stück | 550+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3456 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
824 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3456 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3456 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Auf Lager
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,6655 | 0,4227 | 0,3339 | 0,3036 | 0,2896 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
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