IRF530

Symbol Micros: TIRF530n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
39 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,6871 0,4326 0,3401 0,3077 0,2984
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Standard-Verpackung:
50/400
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,6871 0,4326 0,3401 0,3077 0,2984
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Standard-Verpackung:
50/500
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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