IRF5305PBF UMW

Symbol Micros: TIRF5305 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5305PBF; SP001564354;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRF5305PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6367 0,3997 0,3137 0,2951 0,2765
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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