IRF540NS
Symbol Micros:
TIRF540ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
Max. Drainstrom: | 33A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF540NS RoHS IRF540NSTRL RoHS IRF540NST
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
105 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8761 | 0,5553 | 0,4381 | 0,3950 | 0,3806 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3896 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
5230 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4725 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
168000 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3806 |
Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
Max. Drainstrom: | 33A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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