IRF630NPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF630 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF630NPBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6609 0,4180 0,3293 0,3012 0,2872
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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