IRF7103TRPBF

Symbol Micros: TIRF7103
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Gehäuse: SOP08
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Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
33418 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5588 0,3554 0,2806 0,2548 0,2431
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Standard-Verpackung:
4000
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistor type: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Transistor kind: HEXFET
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power: 2W
Case: SOP08
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 130mΩ
Junction-to-ambient thermal resistance: 62.5K/W
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC

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