IRF7103TRPBF

Symbol Micros: TIRF7103
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 200 mOhm; 3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103 RoHS Gehäuse: SOP08  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3114 0,1715 0,1348 0,1248 0,1197
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Standard-Verpackung:
95/950
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
23818 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3114 0,1715 0,1348 0,1248 0,1197
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Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
4840 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1834
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBFXTMA1 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
36000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1420
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBFXTMA1 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1479
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistortyp: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Transistorart: HEXFET
Spannung Drain-Source: 50V
Drainstrom: 3A
Leistung: 2W
Gehäuse: SOP08
Spannung Gate-Source: 20V
Durchgangswiderstand: 200mΩ
Thermischer Widerstand Junction-Umgebung: 62.5K/W
Montage: SMD
Gate-Ladung: 12nC

Symbol Micros

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