IRF730PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF730 MOS
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF730PBF; IRF730PBF-BE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,1Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7280 0,4612 0,3628 0,3301 0,3160
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,1Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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