IRF7316TRPBF

Symbol Micros: TIRF7316
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 98mOhm; 4,9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7316TRPBF; IRF7316PBF-GURT; IRF7316; CJQ4953/SOP8;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7316TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7473 0,4740 0,3736 0,3409 0,3246
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7316TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7473 0,4740 0,3736 0,3409 0,3246
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7316TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
6750 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3246
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7316TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
88000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3246
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7316TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
68000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3246
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD