IRF7319TRPBF

Symbol Micros: TIRF7319
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5 A/4,9 A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7319TRBBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
3400 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0205 0,6795 0,5604 0,5067 0,4857
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Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7319TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
2250 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4857
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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