IRF7342TR

Symbol Micros: TIRF7342
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xP-Channel MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 170 mOhm; 3,4A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7342TRPBF; IRF7342PBF; IRF7342PBF-GURT; IRF7342 smd; IRF 7342 TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 3,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7342TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6799 0,4308 0,3400 0,3097 0,2957
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Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7342TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
52000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2957
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7342TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
56000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2957
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7342TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6799 0,4308 0,3400 0,3097 0,2957
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7342TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
15100 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3406
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 3,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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