IRF7343 smd

Symbol Micros: TIRF7343
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7 A/3,4 A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7343TRPBF; IRF7343PBF-GURT; IRF 7343 TRPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7343TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
40000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2439
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7343TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
37450 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3213
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF 7343 TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
2855 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,5870
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-05-23
Anzahl Stück: 600
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD