IRF7478TRPBF

Symbol Micros: TIRF7478
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Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Auslaufmodell; IRF7478;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7478TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3269 0,9307 0,7900 0,7221 0,6986
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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