IRF8313

Symbol Micros: TIRF8313

Gehäuse: SOP08

2xN-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 21,6 mOhm; 9,7A; 2W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF8313PBF; IRF8313TRPBF; IRF8313PBF-GURT;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	21,6mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8313TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

3543 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8378	0,5304	0,4177	0,3802	0,3638

Widerstand im offenen Kanal:	21,6mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5679	0,3567	0,2957	0,2628	0,2464