IRF9389TR JSMICRO

Symbol Micros: TIRF9389 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 28mOhm/52mOhm; 7,5A/7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF9389PBF; IRF9389TRPBF; SP001555848; SP001551666;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF9389TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3648 0,2408 0,1717 0,1500 0,1407
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD