IRF9Z24NPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF9Z24n MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF9Z24PBF; IRF9Z24PBF-BE3; IRF9Z24NPBF; SP001555934;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6792 0,4314 0,3408 0,3098 0,2955
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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