IRF9Z34NPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF9Z34n JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 20A; 20W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9Z34PBF; IRF9Z34NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 102mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
93 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6725 0,4250 0,3363 0,3059 0,2919
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 102mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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