IRFB4110
Symbol Micros:
TIRFB4110
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4110PBF;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6398 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3588 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
830 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7364 |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB4110PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6621 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5182 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| Nettopreis (EUR) | 1,5220 | 1,2134 | 1,0385 | 0,9348 | 0,8957 |
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