IRFP064NPBF
Symbol Micros:
TIRFP064n
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP064NPBF; IRFP064N;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
Max. Drainstrom: | 110A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP064N RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 150+ | 300+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,9931 | 1,5814 | 1,4153 | 1,3428 | 1,3287 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3287 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
7498 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,3287 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
225 stk.
Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3287 |
Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
Max. Drainstrom: | 110A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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