IRFP240PBF

Symbol Micros: TIRFP240
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 20A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP240PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP240PBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
117 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5807 1,1727 1,0118 0,9535 0,9302
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP240PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
821 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9302
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFP240PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
825 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9302
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP240PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
925 stk.
Anzahl Stück 125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0593
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 155°C
Montage: THT