IRFP260NPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFP260n JSM
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Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP260PBF; IRFP260NPBF; SP001552016;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 220V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFP260NPBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9003 1,5080 1,3366 1,2802 1,2661
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 220V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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