IRFP450

Symbol Micros: TIRFP450
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 400 mOhm; 14A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP450PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP450 RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9034 1,5055 1,3450 1,2845 1,2682
Standard-Verpackung:
25/200
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP450APBF Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
850 stk.
Anzahl Stück 125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2682
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP450PBF Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2682
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFP450APBF Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
275 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2682
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT