IRFR210PBF

Symbol Micros: TIRFR210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 2,6A; 2,5 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFR210TRPBF; IRFR210TRLPBF; IRFR210PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR210PBF Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2325
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR210PBF Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
3820 stk.
Anzahl Stück 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2440
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFR210PBF Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2082
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD