IRFR24N15D

Symbol Micros: TIRFR24n15d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
N-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 95mOhm; 24A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR24N15DPBF; IRFR24N15DTRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR24N15DTRPBF Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
22000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3185
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR24N15DTRPBF Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3318
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD