IRFR24N15D
Symbol Micros:
TIRFR24n15d
Gehäuse: TO252
N-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 95mOhm; 24A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR24N15DPBF; IRFR24N15DTRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 95mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR24N15DTRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
22000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3185 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR24N15DTRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3318 |
Widerstand im offenen Kanal: | 95mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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