IRFR3411

Symbol Micros: TIRFR3411

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 32A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR3411PBF; IRFR3411TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	44mOhm
Max. Drainstrom:	32A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3411TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2200 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3539

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3411TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

40000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2979

Widerstand im offenen Kanal:	44mOhm
Max. Drainstrom:	32A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8016	0,5025	0,4183	0,3716	0,3482