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IRFR3910PBF HXY MOSFET

Name: TIRFR3910 HXY TIRFR3910 HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRFR3910HXY
Price: 0.1846 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFR3910 HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910TRPBF; IRFR3910TRRPBF; SP001571594; SP001573318; SP001560674;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	105mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRFR3910PBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4626	0,2804	0,2149	0,1939	0,1846

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	105mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5210	0,2897	0,2278	0,2147	0,2079

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4930	0,2991	0,2292	0,2068	0,1967

IRFR3910PBF HXY MOSFET

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