IRFR5410TRPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFR5410 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFR5410PBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRRPBF; SP001557110; SP001578112; SP001557100; SP001557118;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6171 0,3865 0,3213 0,2864 0,2678
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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