IRFZ24N

Symbol Micros: TIRFZ24
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 70mOhm; 17A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ24PBF; IRFZ24NPBF; IRFZ24NTRPBF; IRFZ24NSTRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ24N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
76 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,8808 0,5561 0,4369 0,3972 0,3832
Standard-Verpackung:
50/600
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ24NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1570 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3832
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFZ24PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3832
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ24NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
6044 stk.
Anzahl Stück 700+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3832
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT