IRL6372TRPBF

Symbol Micros: TIRL6372
Gehäuse: SOP08
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 23mOhm; 8.1A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRL6372TRPBF; IRL6372PBF-GURT; SP001569038; IRL6372PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 8,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL6372TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2273
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL6372TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
1700 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2701
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-04-04
Anzahl Stück: 500
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 8,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD