IRLL014TRPBF
Symbol Micros:
TIRLL014
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 2,7A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRLL014TRPBF RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
850 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5683 | 0,3453 | 0,2662 | 0,2391 | 0,2276 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRLL014TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2276 |
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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