IRLL110TR UMW

Symbol Micros: TIRLL110 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 76 mOhm; 1,5A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 76mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLL110TR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5025 0,2776 0,2197 0,2072 0,2005
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 76mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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