IRLML5203TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML5203 HXY
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Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML5203TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1793 0,0851 0,0478 0,0363 0,0326
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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