IRLML5203TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML5203 HXY

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML5203TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1795	0,0852	0,0479	0,0364	0,0326

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD