IRLR024PBF Vishay

Symbol Micros: TIRLR024

Gehäuse:

N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 140 mOhm; 14A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5941	0,3763	0,2959	0,2698	0,2580

Anzahl Stück	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2580

Anzahl Stück	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2580

Anzahl Stück	50+
Nettopreis (EUR)	0,2580