IRLR3114Z

Symbol Micros: TIRLR3114z
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 6,5 mOhm; 130A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3114ZPBF; IRLR3114ZTRPBF; IRLR3114ZPBF-GURT;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3114ZTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
263 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1227 0,7453 0,6188 0,5578 0,5344
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: SMD

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