IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRLR3410 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRLR3410TRPBF-ML RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
160 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5443 0,3309 0,2542 0,2290 0,2180
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD