IRLR8726TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLR8726 JGS
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
350 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3214 0,2060 0,1450 0,1232 0,1171
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

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