IRLZ34N

Symbol Micros: TIRLZ34
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLZ34NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLZ34N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9113 0,5716 0,4474 0,4217 0,3959
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ34NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3370 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3959
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ34NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3700 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3959
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ34NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
8512 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3959
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT