IRLZ34N
Symbol Micros:
TIRLZ34
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLZ34NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLZ34N RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9113 | 0,5716 | 0,4474 | 0,4217 | 0,3959 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLZ34NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3370 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3959 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLZ34NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3700 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3959 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLZ34NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
8512 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3959 |
Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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