LTV-357T-C

Symbol Micros: OOPC357tltv
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Gehäuse: SO 4 t/r
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Einzel-CTR 50-600 %; Vce 35V; Uiso 3,75 kV; NPN-Fototransistor; Äquivalent: PC357T; LTV-357T-C; LTV357T-C; LTV357T-SMD; LTV-357T; LTV-357T-C-IN; LTV357T-C;

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Parameter
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4 t/r
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-357T-C RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
14743 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2573 0,1303 0,0788 0,0627 0,0571
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Standard-Verpackung:
3000/6000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-03-30
Anzahl Stück: 100000
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4 t/r
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V
Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: LITEON
Type of semiconductor component: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Output type: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 50-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 35V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Case: SO 4

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