LTV817S-D smd

Symbol Micros: OOPC817dltvs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DIP04smd
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einzelner CTR 300-600 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817DS, LTV-817S-TA1-D FOD817D300W
Parameter
Klickrate (CTR): 300-600%
Gehäuse: DIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: LITE-ON Hersteller-Teilenummer: LTV-817S-TA1-D RoHS Gehäuse: DIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
360 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2486 0,1315 0,1020 0,0941 0,0902
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817D300W Gehäuse: DIP04smd  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0902
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 300-600%
Gehäuse: DIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V

Symbol Micros

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