MJD127T4G HXY MOSFET

Symbol Micros: TMJD127 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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PNP Darlington-Transistor; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP;
Parameter
Verlustleistung: 1,5W
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: MJD127T4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3077 0,1965 0,1383 0,1175 0,1117
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Standard-Verpackung:
300
Verlustleistung: 1,5W
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington PNP

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