MJE13003 JSMICRO

Symbol Micros: TMJE13003 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
NPN-Transistor; 30; 30W; 400V; 2,3A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K;

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Parameter
Verlustleistung: 30W
Grenzfrequenz: 5MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 2,3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJE13003 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2687 0,1718 0,1206 0,1047 0,0979
Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 30W
Grenzfrequenz: 5MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 2,3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN