MMBT2907ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2907alt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907ALT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Nettopreis (EUR) 0,1077 0,0430 0,0216 0,0172 0,0166
Standard-Verpackung:
3000/9000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907ALT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
285000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0166
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907ALT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
80000 stk.
Anzahl Stück 20000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0166
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP