MMBT3904 GALAXY

Symbol Micros: TMMBT3904 GAL
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Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: MMBT3904 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0497 0,0186 0,0100 0,0074 0,0069
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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