NTD5867NLT4G

Symbol Micros: TNTD5867nl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD5867NLT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8809 0,5538 0,4346 0,3949 0,3832
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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