OTBPW17N
Symbol Micros:
OIO BPW17N
Gehäuse: Rys.BPW17N
Fototransistor BPW17N; 1,8 mm; Kollektor-Emitter-Spannung 32 V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur -40 °C +100 °C; transparent;
Parameter
Gehäuse: | BPW17N |
Gehäusefarbe: | Transparent |
Hersteller: | VISHAY |
Leistung: | 0,1W |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 100°C |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW17N RoHS
Gehäuse: Rys.BPW17N
Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5542 | 0,3514 | 0,2759 | 0,2523 | 0,2405 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW17N
Gehäuse: Rys.BPW17N
Externes Lager:
7366 stk.
Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2405 |
Gehäuse: | BPW17N |
Gehäusefarbe: | Transparent |
Hersteller: | VISHAY |
Leistung: | 0,1W |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 100°C |
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