OTBPW17N
Symbol Micros:
OIO BPW17N
Gehäuse: Rys.BPW17N
Fototransistor BPW17N; 1,8 mm; Kollektor-Emitter-Spannung 32 V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur -40 °C +100 °C; transparent;
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Parameter
| Gehäuse: | BPW17N |
| Gehäusefarbe: | Transparent |
| Hersteller: | VISHAY |
| Leistung: | 0,1W |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 100°C |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW17N RoHS
Gehäuse: Rys.BPW17N
Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5414 | 0,3433 | 0,2696 | 0,2465 | 0,2350 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW17N
Gehäuse: Rys.BPW17N
Externes Lager:
3169 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2350 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW17N
Gehäuse: Rys.BPW17N
Externes Lager:
14968 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2350 |
| Gehäuse: | BPW17N |
| Gehäusefarbe: | Transparent |
| Hersteller: | VISHAY |
| Leistung: | 0,1W |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 100°C |
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