BPW34

Symbol Micros: OIO Bpw34
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.BPW34
Fotodiode BPW34; BIS 5; Spannung 60 V; Id=30nA; IL=75uA 250 mW; Arbeitstemperatur -55 °C +100 °C; Wellenlänge 900 nm; Wohnung;
Parameter
Durchmesser: 4,3mm
Leuchtwinkel: 130°
Montage: THT
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 100°C
Wellenlänge: 900nm
Wellenlänge (Bereich): 430nm~1100nm
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: BPW34 RoHS Gehäuse: Rys.BPW34 Datenblatt
Auf Lager:
2428 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7442 0,4714 0,3709 0,3374 0,3230
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: AMSOSRAM Hersteller-Teilenummer: BPW34 Gehäuse: Rys.BPW34  
Externes Lager:
609153 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3230
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: BPW34 Gehäuse: Rys.BPW34  
Externes Lager:
2250 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3230
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Durchmesser: 4,3mm
Leuchtwinkel: 130°
Montage: THT
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 100°C
Wellenlänge: 900nm
Wellenlänge (Bereich): 430nm~1100nm
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: VISHAY
Fotodetektortyp: Fotodiode
Wellenlänge bei maximaler Empfindlichkeit: 900nm
Wellenlängenbereich λd: 430nm ~ 1100nm
Spannung: 60V
Betrachtungswinkel: 130°
Lichtempfindliche Fläche: 7,5mm²
Dunkelstrom: 2nA
Montage: THT
Betriebstemperatur: -40°C ~ 100°C