BPW41N
Symbol Micros:
OIO BPW41N
Gehäuse: Rys.BPW41N
Fotodiode BPW41N; Spannung 60 V; Id=2nA; IL=45uA 215 mW; Arbeitstemperatur -55 °C +100 °C; Wellenlänge 950 nm;
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Parameter
| Durchmesser: | 3mm |
| Montage: | THT |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
| Wellenlänge: | 940nm |
| Wellenlänge (Bereich): | 870nm~1050nm |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW41N RoHS
Gehäuse: Rys.BPW41N
Datenblatt
Auf Lager:
560 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6027 | 0,3819 | 0,3014 | 0,2738 | 0,2623 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW41N
Gehäuse: Rys.BPW41N
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2623 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW41N
Gehäuse: Rys.BPW41N
Externes Lager:
48622 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5435 |
| Durchmesser: | 3mm |
| Montage: | THT |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
| Wellenlänge: | 940nm |
| Wellenlänge (Bereich): | 870nm~1050nm |
Ausführliche Beschreibung
Manufacturer: VISHAY
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