BPW41N

Symbol Micros: OIO BPW41N
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Gehäuse: Rys.BPW41N
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Fotodiode BPW41N; Spannung 60 V; Id=2nA; IL=45uA 215 mW; Arbeitstemperatur -55 °C +100 °C; Wellenlänge 950 nm;

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Parameter
Montage: THT
Durchmesser: 3mm
Wellenlänge: 940nm
Wellenlänge (Bereich): 870nm~1050nm
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 100°C
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: BPW41N RoHS Gehäuse: Rys.BPW41N Datenblatt
Auf Lager:
560 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6122 0,3879 0,3061 0,2781 0,2664
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Standard-Verpackung:
1000
Montage: THT
Durchmesser: 3mm
Wellenlänge: 940nm
Wellenlänge (Bereich): 870nm~1050nm
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 100°C
Ausführliche Beschreibung

Producent: VISHAY Typ fotoodbiornika: fotodioda Długość fali w punkcie maks. czułości: 950nm Długość fali λd: 870nm ~ 1050nm Napięcie: 60V Kąt widzenia: 130° Powierzchnia światłoczuła: 7.5mm² Prąd ciemny: 2nA Montaż: THT Temperatura pracy: -40°C ~ 100°C Właściwości fotoodbiornika: wyposażone w filtr podczerwieni

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