BPW41N
Symbol Micros:
OIO BPW41N
Gehäuse: Rys.BPW41N
Fotodiode BPW41N; Spannung 60 V; Id=2nA; IL=45uA 215 mW; Arbeitstemperatur -55 °C +100 °C; Wellenlänge 950 nm;
Parameter
| Durchmesser: | 3mm |
| Montage: | THT |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
| Wellenlänge: | 940nm |
| Wellenlänge (Bereich): | 870nm~1050nm |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: BPW41N RoHS
Gehäuse: Rys.BPW41N
Datenblatt
Auf Lager:
550 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5669 | 0,3584 | 0,2835 | 0,2577 | 0,2460 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: BPW41N
Gehäuse: Rys.BPW41N
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2460 |
| Durchmesser: | 3mm |
| Montage: | THT |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
| Wellenlänge: | 940nm |
| Wellenlänge (Bereich): | 870nm~1050nm |
Ausführliche Beschreibung
Hersteller: VISHAY
Fotodetektortyp: Fotodiode
Wellenlänge bei maximaler Empfindlichkeit: 950nm
Wellenlängenbereich λd: 870nm ~ 1050nm
Spannung: 60V
Betrachtungswinkel: 130°
Lichtempfindliche Fläche: 7,5mm²
Dunkelstrom: 2nA
Montage: THT
Betriebstemperatur: -40°C ~ 100°C
Eigenschaften des Fotodetektors: ausgestattet mit Infrarotfilter
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