BPW41N
Symbol Micros:
OIO BPW41N
Gehäuse: Rys.BPW41N
Fotodiode BPW41N; Spannung 60 V; Id=2nA; IL=45uA 215 mW; Arbeitstemperatur -55 °C +100 °C; Wellenlänge 950 nm;
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Parameter
| Durchmesser: | 3mm |
| Montage: | THT |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
| Wellenlänge: | 940nm |
| Wellenlänge (Bereich): | 870nm~1050nm |
| Durchmesser: | 3mm |
| Montage: | THT |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 100°C |
| Wellenlänge: | 940nm |
| Wellenlänge (Bereich): | 870nm~1050nm |
Ausführliche Beschreibung
Hersteller: VISHAY
Fotodetektortyp: Fotodiode
Wellenlänge bei maximaler Empfindlichkeit: 950nm
Wellenlängenbereich λd: 870nm ~ 1050nm
Spannung: 60V
Betrachtungswinkel: 130°
Lichtempfindliche Fläche: 7,5mm²
Dunkelstrom: 2nA
Montage: THT
Betriebstemperatur: -40°C ~ 100°C
Eigenschaften des Fotodetektors: ausgestattet mit Infrarotfilter
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