KP-2012P3C

Symbol Micros: OIO KP-2012P3C
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.KP-2012P3C
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Abmessungen des Fototransistors: 2,0 x 1,25 x 1,1 mm; 940 nm; Kollektor-Emitter 30V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur -40 °C bis 85 °C; Lagerung: -40 °C bis 85 °C;
Parameter
Hersteller: KingBright
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
Gehäuse: 0805
Gehäusefarbe: Przezroczysty
Leistung: 0,1W
Hersteller: KingBright Hersteller-Teilenummer: KP-2012P3C RoHS Gehäuse: Rys.KP-2012P3C Datenblatt
Auf Lager:
429 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2906 0,1553 0,1209 0,1092 0,1058
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: KingBright
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
Gehäuse: 0805
Gehäusefarbe: Przezroczysty
Leistung: 0,1W

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