KP-2012P3C
Symbol Micros:
OIO KP-2012P3C
Gehäuse: Rys.KP-2012P3C
Abmessungen des Fototransistors: 2,0 x 1,25 x 1,1 mm; 940 nm; Kollektor-Emitter 30V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur -40 °C bis 85 °C; Lagerung: -40 °C bis 85 °C;
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Parameter
| Gehäuse: | 0805 |
| Gehäusefarbe: | Transparent |
| Hersteller: | KingBright |
| Leistung: | 0,1W |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C |
| Gehäuse: | 0805 |
| Gehäusefarbe: | Transparent |
| Hersteller: | KingBright |
| Leistung: | 0,1W |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C |
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