N0P08L56 Brightek
Symbol Micros:
OIO N0P08L56
Gehäuse: Rys.OIO N0P08L56
Fototransistor N0P08L56; 3mm; Wellenlänge: 900 nm; Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Betrachtungswinkel: 30°; Leistung: 100 mW; Arbeitstemperatur: -40°C~85°C
Parameter
| Hersteller: | Brightek |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C |
| Gehäuse: | THT |
| Gehäusefarbe: | Przezroczysty |
| Leistung: | 0,1W |
Hersteller: BRIGHTEK
Hersteller-Teilenummer: N0P08L56 RoHS
Gehäuse: Rys.OIO N0P08L56
Auf Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2560 | 0,1277 | 0,0761 | 0,0629 | 0,0566 |
| Hersteller: | Brightek |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C |
| Gehäuse: | THT |
| Gehäusefarbe: | Przezroczysty |
| Leistung: | 0,1W |
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